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TPN1110ENH,L1Q

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：4.115
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

  • 包装

    *可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    7.2A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    114 毫欧 @ 3.6A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 200μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    600pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    39W

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 200V TSON

  • 产品描述备注

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