您好，欢迎您来到恒达亿科技有限公司官方网站
服务热线：0755-82723761 / 0755-82772189 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> TPC8A02-H(TE12L,Q)
跳过导航链接。

TPC8A02-H(TE12L,Q)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：8-SOP（5.5x6.0）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    16A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    5.6 毫欧 @ 8A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.3V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    34nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1970pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
QQ在线客服