SI8466EDB-T2-E1
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,2.5V 驱动
8V
3.6A (Ta)
43 毫欧 @ 2A, 4.5V
700mV @ 250μA
13nC @ 4.5V
710pF @ 4V
780mW
表面贴装
4-UFBGA,WLCSP
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT