您好,欢迎您来到恒达亿科技有限公司官方网站
服务热线:0755-82723761 / 0755-82772189 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置:首 页 >> 产品索引 >> SI2319CDS-T1-GE3
跳过导航链接。

SI2319CDS-T1-GE3

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 批号:新批号
  • 数量:9,000 - 立即发货
  • 价格:来电咨询
  • 类型:FET - 单
  • PDF:SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

  • 包装

    带卷 (TR) 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道,金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    4.4A (Tc)

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    77 毫欧 @ 3.1A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    21nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    595pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    2.5W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 40V SOT-23

  • 产品描述备注

    全新原装正品 更多产品请登录 www.szhdydz.com