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PHD21N06LT,118

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：DPAK
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：PHD21N06LT,118

PHD21N06LT,118

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    55V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    19A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    70 毫欧 @ 10A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    9.4nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    650pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    56W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

  • 产品描述备注

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