- 包装
带卷 （TR）
- 系列
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- FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
100A （Tc）
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.5 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
320nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
15100pF @ 10V
- 功率 - 最大值
1.8W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 产品简介说明
MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
- 产品描述备注
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