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J112RL1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：TO-92-3
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：J112RL1G

J112RL1G

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    35V

  • 漏源极电压 (Vdss)

    -

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    5mA @ 15V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    1V @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 电阻 - RDS（开）

    50 欧姆

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

  • 功率 - 最大值

    350mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 35V 350MW TO92

  • 产品描述备注

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