- 包装
管件 可替代的包装
- 系列
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- FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能
标准
- 漏源极电压 (Vdss)
200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
4.8A （Tc）
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
800 毫欧 @ 2.9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
14nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
260pF @ 25V
- 功率 - 最大值
2.5W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
- 产品描述备注
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