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IRF6655TR1

  • 厂家：International Rectifier
  • 封装：DIRECTFET™ SH
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IRF6655TR1

IRF6655TR1

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    HEXFET?

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    100V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    4.2A （Ta）， 19A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    62 毫欧 @ 5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4.8V @ 25μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    11.7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    530pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    2.2W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    DirectFET? 等容 SH

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH

  • 产品描述备注

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