- 包装
管件 可替代的包装
- 系列
HEXFET?
- FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能
标准
- 漏源极电压 (Vdss)
60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
75A （Tc）
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
8.5 毫欧 @ 51A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
86nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2810pF @ 25V
- 功率 - 最大值
140W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
- 产品描述备注
全新原装正品 更多产品请登录www.szhdydz.com