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IPD30N06S2L-23

  • 厂家:Infineon Technologies
  • 封装:PG-TO252-3
  • 批号:新批号
  • 数量:5,000 - 立即发货
  • 价格:来电咨询
  • 类型:FET - 单
  • PDF:IPD30N06S2L-23

IPD30N06S2L-23

  • 包装

    带卷 (TR) 可替代的包装

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    55V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    30A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    23 毫欧 @ 22A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 50μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    42nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1091pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    100W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

  • 产品描述备注

    全新原装正品 更多产品请登录www.szhdydz.com