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HAT2160N-EL-E

  • 厂家：Renesas Electronics America
  • 封装：8-LFPAK-iV
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：HAT2160N-EL-E

HAT2160N-EL-E

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    60A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    3.1 毫欧 @ 30A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    50nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    7600pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI

  • 产品描述备注

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