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BSP129E6327T

  • 厂家：Infineon Technologies
  • 封装：PG-SOT223-4
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：BSP129E6327T

BSP129E6327T

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    SIPMOS?

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    耗尽模式

  • 漏源极电压 (Vdss)

    240V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    350mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    6 欧姆 @ 350mA，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 108μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    5.7nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    108pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-261-4，TO-261AA

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

  • 产品描述备注

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