- 包装
带卷 （TR） 可替代的包装
- 系列
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- FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
5A （Ta）， 32A （Tc）
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
37 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
44nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2000pF @ 50V
- 功率 - 最大值
2.5W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 100V 32A TO252
- 产品描述备注
全新原装正品现货销售 更多产品请登录取www.szhdydz.com