J175_D26Z

包装
剪切带（CT）可替代的包装
系列
-
FET 类型
P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30V
漏源极电压 (Vdss)
-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)
7mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值
-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
3V @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
-
电阻 - RDS（开）
125 欧姆
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
功率 - 最大值
350mW
产品简介说明
JFET P-CH 30V 350MW TO92
产品描述备注

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恒达亿科技有限公司

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