BSS138LT1G

包装
带卷（TR）可替代的包装
系列
-
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
200mA （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
225mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
产品简介说明
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
产品描述备注
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